SiC bevonatú hordó szuszceptor ostya epitaxiálishoz

A Semicorex SiC bevonatú hordószuszceptor a Wafer Epitaxialhoz tökéletes választás egykristály növesztési alkalmazásokhoz, köszönhetően kivételesen lapos felületének és kiváló minőségű SiC bevonatának. Magas olvadáspontja, oxidáció- és korrózióállósága ideális választássá teszi magas hőmérsékletű és korrozív környezetben való használatra.

Kérdés küldése

termékleírás

Kivételes hőeloszlású és hővezető képességű grafit szuszceptort keres? Ne keressen tovább, mint a Semicorex SiC bevonatú hordószuszceptor a Wafer Epitaxial számára, amely nagy tisztaságú SiC-vel van bevonva a kiváló teljesítmény érdekében az epitaxiális folyamatokban és más félvezetőgyártási alkalmazásokban.
A Semicorexnél arra összpontosítunk, hogy kiváló minőségű, költséghatékony termékeket biztosítsunk ügyfeleinknek. A Wafer Epitaxialhoz készült SiC bevonatú hordószuceptorunk árelőnnyel rendelkezik, és számos európai és amerikai piacra exportálják. Célunk, hogy az Ön hosszú távú partnere legyünk, állandó minőségű termékeket és kivételes ügyfélszolgálatot biztosítva.

A SiC bevonatú hordó szuszceptor paraméterei ostya epitaxiálishoz

A CVD-SIC bevonat főbb specifikációi
SiC-CVD tulajdonságai
Kristályszerkezet	FCC β fázis
Sűrűség	g/cm³	3.21
Keménység	Vickers keménység	2500
Szemcseméret	μm	2~10
Kémiai tisztaság	%	99.99995
Hőkapacitás	J kg-1 K-1	640
Szublimációs hőmérséklet	℃	2700
Felexurális Erő	MPa (RT 4 pontos)	415
Young's Modulus	Gpa (4 pont kanyar, 1300 ℃)	430
Hőtágulás (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Hővezetőképesség	(W/mK)	300

SiC bevonatú hordó szuszceptor jellemzői Wafer Epitaxialhoz

- Mind a grafit szubsztrát, mind a szilícium-karbid réteg jó sűrűségű, és jó védő szerepet játszhat magas hőmérsékleten és korrozív munkakörnyezetben.

- Az egykristály növesztéshez használt szilícium-karbid bevonatú szuszceptor nagyon magas felületi síksággal rendelkezik.

- Csökkentse a hőtágulási együttható különbségét a grafit szubsztrát és a szilícium-karbid réteg között, hatékonyan javítja a kötési szilárdságot a repedés és a rétegvesztés megakadályozása érdekében.

- Mind a grafit szubsztrát, mind a szilícium-karbid réteg magas hővezető képességgel és kiváló hőelosztási tulajdonságokkal rendelkezik.

- Magas olvadáspont, magas hőmérsékletű oxidációállóság, korrózióállóság.