SiC End Effector

A Semicorex a szilícium-karbid bevonatú grafit szuszceptor nagyméretű gyártója és szállítója Kínában. A félvezetőiparra összpontosítunk, mint például a szilícium-karbid rétegekre és az epitaxiás félvezetőkre. SiC End Effectorunk jó árelőnnyel rendelkezik, és számos európai és amerikai piacot lefed. Bízunk benne, hogy hosszú távú partnere lehetünk Kínában.

Kérdés küldése

termékleírás

A Semicorex SiC End Effector szilícium-karbid bevonat (SiC) grafitból készül, a bevonatot CVD-módszerrel hordják fel bizonyos minőségű nagy sűrűségű grafitokra, így képes a magas hőmérsékletű kemencében, 3000 °C felett, inert atmoszférában működni. 2200 °C vákuumban.

SiC End Effectorunkat úgy tervezték, hogy a legjobb lamináris gázáramlási mintát érje el, biztosítva a hőprofil egyenletességét. Ez segít megelőzni a szennyeződéseket vagy a szennyeződések diffúzióját, biztosítva a jó minőségű epitaxiális növekedést az ostya chipen.

Lépjen kapcsolatba velünk még ma, ha többet szeretne megtudni SiC End Effectorunkról.

A SiC End Effector paraméterei

A CVD-SIC bevonat főbb specifikációi
SiC-CVD tulajdonságai
Kristályszerkezet	FCC β fázis
Sűrűség	g/cm³	3.21
Keménység	Vickers keménység	2500
Szemcseméret	μm	2~10
Kémiai tisztaság	%	99.99995
Hőkapacitás	J kg-1 K-1	640
Szublimációs hőmérséklet	℃	2700
Felexurális Erő	MPa (RT 4 pontos)	415
Young's Modulus	Gpa (4 pont kanyar, 1300 ℃)	430
Hőtágulás (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Hővezetőképesség	(W/mK)	300