itthon > Termékek > Szilícium-karbid bevonatú > MOCVD elfogadó > MOCVD Cover Star lemez lemez ostya epitaxiához
MOCVD Cover Star lemez lemez ostya epitaxiához

MOCVD Cover Star lemez lemez ostya epitaxiához

A Semicorex a kiváló minőségű MOCVD Cover Star Disc Plate neves gyártója és szállítója az ostya epitaxiához. Termékünket kifejezetten a félvezetőipar igényeinek kielégítésére fejlesztettük ki, különös tekintettel az ostya chip epitaxiális rétegének növelésére. A szuszceptorunkat a MOCVD középső lemezeként használják fogaskerék vagy gyűrű alakú kialakítással. A termék kiválóan ellenáll a magas hőnek és a korróziónak, így ideális extrém környezetben való használatra.

Kérdés küldése

termékleírás

A MOCVD Cover Star Disc Plate for Wafer Epitaxy egy kiváló termék, amely minden felületen biztosítja a bevonatot, elkerülve ezzel a leválást. Magas hőmérsékletű oxidációállósággal rendelkezik, amely akár 1600°C-ig magas hőmérsékleten is biztosítja a stabilitást. A termék nagy tisztaságú CVD kémiai gőzleválasztással, magas hőmérsékletű klórozási körülmények között készül. Sűrű, finom részecskéket tartalmazó felülete rendkívül ellenálló a sav, lúg, só és szerves reagensek okozta korrózióval szemben.
A Wafer Epitaxy-hoz készült MOCVD Cover Star Disc lemezünk garantálja a legjobb lamináris gázáramlási mintát, biztosítva a termikus profil egyenletességét. Megakadályozza a szennyeződések vagy a szennyeződések diffúzióját, biztosítva a jó minőségű epitaxiális növekedést az ostya chipen. Termékünk versenyképes árú, így sok vásárló számára elérhető. Számos európai és amerikai piacot lefedünk, és csapatunk elkötelezett a kiváló ügyfélszolgálat és támogatás iránt. Arra törekszünk, hogy az Ön hosszú távú partnerévé váljunk a jó minőségű és megbízható MOCVD Cover Star Disc lemez kínálatában a Wafer Epitaxy számára.


A MOCVD Cover Star Disc Plate paraméterei az ostya epitaxiához

A CVD-SIC bevonat főbb specifikációi

SiC-CVD tulajdonságai

Kristályszerkezet

FCC β fázis

Sűrűség

g/cm³

3.21

Keménység

Vickers keménység

2500

Szemcseméret

μm

2~10

Kémiai tisztaság

%

99.99995

Hőkapacitás

J kg-1 K-1

640

Szublimációs hőmérséklet

2700

Felexurális Erő

MPa (RT 4 pontos)

415

Young's Modulus

Gpa (4 pont kanyar, 1300 ℃)

430

Hőtágulás (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Hővezetőképesség

(W/mK)

300


A MOCVD Cover Star Disc Plate jellemzői az ostya epitaxiához

- Kerülje a leválást, és gondoskodjon a bevonatról minden felületen
Magas hőmérsékletű oxidációállóság: Stabil magas hőmérsékleten 1600°C-ig
Nagy tisztaságú: CVD kémiai gőzleválasztással készült magas hőmérsékletű klórozási körülmények között.
Korrózióállóság: nagy keménység, sűrű felület és finom részecskék.
Korrózióállóság: sav, lúg, só és szerves reagensek.
- A legjobb lamináris gázáramlási minta elérése
- Garantálja a hőprofil egyenletességét
- Kerülje el a szennyeződést vagy a szennyeződések diffúzióját




Hot Tags: MOCVD Cover Star Disc Plate for Wafer Epitaxy, Kína, gyártók, beszállítók, gyári, testreszabott, tömeges, fejlett, tartós
Kapcsolódó kategória
Kérdés küldése
Kérdését az alábbi űrlapon adja meg. 24 órán belül válaszolunk.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept