itthon > Termékek > Szilícium-karbid bevonatú > MOCVD szuszceptor > MOCVD Cover Star lemez lemez ostya epitaxiához
MOCVD Cover Star lemez lemez ostya epitaxiához

MOCVD Cover Star lemez lemez ostya epitaxiához

A Semicorex a kiváló minőségű MOCVD Cover Star Disc Plate neves gyártója és szállítója az ostya epitaxiához. Termékünket kifejezetten a félvezetőipar igényeinek kielégítésére fejlesztettük ki, különös tekintettel az ostya chip epitaxiális rétegének növelésére. A szuszceptorunkat a MOCVD középső lemezeként használják fogaskerék vagy gyűrű alakú kialakítással. A termék kiválóan ellenáll a magas hőnek és a korróziónak, így ideális extrém környezetben való használatra.

Kérdés küldése

termékleírás

MOCVD Cover Star Disc Plate for Wafer Epitaxy egy kiváló termék, amely biztosítja a bevonatot minden felületen, elkerülve ezzel a leválást. Magas hőmérsékletű oxidációállósággal rendelkezik, amely akár 1600°C-ig magas hőmérsékleten is biztosítja a stabilitást. A termék nagy tisztaságú CVD kémiai gőzleválasztással, magas hőmérsékletű klórozási körülmények között készül. Sűrű, finom részecskéket tartalmazó felülete rendkívül ellenálló a sav, lúg, só és szerves reagensek okozta korrózióval szemben.
MOCVD Cover Star Disc Plate for Wafer Epitaxy garantálja a legjobb lamináris gázáramlási mintát, biztosítva a hőprofil egyenletességét. Megakadályozza a szennyeződések vagy szennyeződések diffúzióját, így biztosítva a jó minőségű epitaxiális növekedést az ostya chipen. Termékünk versenyképes árú, így sok vásárló számára elérhető. Számos európai és amerikai piacot lefedünk, és csapatunk elkötelezett a kiváló ügyfélszolgálat és támogatás iránt. Arra törekszünk, hogy az Ön hosszú távú partnerévé váljunk a jó minőségű és megbízható MOCVD Cover Star Disc lemez kínálatában a Wafer Epitaxy számára.


A MOCVD Cover Star Disc Plate paraméterei az ostya epitaxiához

A CVD-SIC bevonat főbb specifikációi

SiC-CVD tulajdonságai

Kristályos szerkezet

FCC β fázis

Sűrűség

g/cm³

3.21

Keménység

Vickers keménység

2500

Szemcseméret

μm

2~10

Kémiai tisztaság

%

99.99995

Hőkapacitás

J·kg-1 ·K-1

640

Szublimációs hőmérséklet

2700

Felexurális Erő

MPa (RT 4 pontos)

415

Young's Modulus

Gpa (4 pt kanyar, 1300º)

430

Hőtágulás (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Hővezető

(W/mK)

300


A MOCVD Cover Star Disc Plate jellemzői az ostya epitaxiához

- Kerülje a leválást, és gondoskodjon a bevonatról minden felületen
Magas hőmérsékletű oxidációállóság: Stabil magas hőmérsékleten 1600°C-ig
Nagy tisztaságú: CVD kémiai gőzleválasztással készült magas hőmérsékletű klórozási körülmények között.
Korrózióállóság: nagy keménység, sűrű felület és finom részecskék.
Korrózióállóság: sav, lúg, só és szerves reagensek.
- A legjobb lamináris gázáramlási minta elérése
- Garantálja a termikus profil egyenletességét
- Kerülje el a szennyeződést vagy a szennyeződések diffúzióját




Hot Tags: MOCVD Cover Star Disc Plate for Wafer Epitaxy, Kína, gyártók, beszállítók, gyári, testreszabott, tömeges, fejlett, tartós

Kapcsolódó kategória

Kérdés küldése

Kérdését az alábbi űrlapon adja meg. 24 órán belül válaszolunk.
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept