SiC bevonatú MOCVD szuszceptor

A Semicorex a SiC bevonatú MOCVD szuszceptor vezető gyártója és szállítója. Termékünket kifejezetten a félvezetőipar számára tervezték, hogy növelje az epitaxiális réteget az ostya chipen. A nagy tisztaságú szilícium-karbid bevonatú grafithordozót a MOCVD középső lemezeként használják fogaskerék- vagy gyűrű alakú kialakítással. A szuszceptorunkat széles körben használják MOCVD berendezésekben, magas hő- és korrózióállóságot biztosítva, valamint nagy stabilitást extrém környezetben.

Kérdés küldése

termékleírás

SiC bevonatos MOCVD Susceptorunk egyik legjelentősebb tulajdonsága, hogy minden felületen biztosítja a bevonatot, elkerülve a leválást. A termék magas hőmérsékletű oxidációállósággal rendelkezik, amely magas hőmérsékleten 1600°C-ig stabil. A nagy tisztaságot CVD kémiai gőzleválasztással érik el magas hőmérsékletű klórozási körülmények között. A termék sűrű, finom részecskéket tartalmazó felülettel rendelkezik, így rendkívül ellenálló a sav, lúg, só és szerves reagensek okozta korrózióval szemben.
SiC bevonatú MOCVD szuszceptorunk biztosítja a legjobb lamináris gázáramlási mintát, ami garantálja a termikus profil egyenletességét. Ez segít megelőzni a szennyeződéseket vagy a szennyeződések diffúzióját, biztosítva a jó minőségű epitaxiális növekedést az ostya chipen. A Semicorex versenyképes árelőnyt kínál, és számos európai és amerikai piacot lefed. Csapatunk elkötelezett a kiváló ügyfélszolgálat és támogatás nyújtása mellett. Elkötelezettek vagyunk amellett, hogy az Ön hosszú távú partnerévé váljunk, kiváló minőségű és megbízható termékeket kínálva vállalkozása növekedéséhez.

A SiC bevonatú MOCVD szuszceptor paraméterei

A CVD-SIC bevonat főbb specifikációi
SiC-CVD tulajdonságai
Kristályszerkezet	FCC β fázis
Sűrűség	g/cm³	3.21
Keménység	Vickers keménység	2500
Szemcseméret	μm	2~10
Kémiai tisztaság	%	99.99995
Hőkapacitás	J kg-1 K-1	640
Szublimációs hőmérséklet	℃	2700
Felexurális Erő	MPa (RT 4 pontos)	415
Young's Modulus	Gpa (4 pont kanyar, 1300 ℃)	430
Hőtágulás (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Hővezetőképesség	(W/mK)	300

A SiC bevonatú MOCVD szuszceptor jellemzői

- Kerülje a leválást, és gondoskodjon a bevonatról minden felületen
Magas hőmérsékletű oxidációállóság: Stabil magas hőmérsékleten 1600°C-ig
Nagy tisztaságú: CVD kémiai gőzleválasztással készült magas hőmérsékletű klórozási körülmények között.
Korrózióállóság: nagy keménység, sűrű felület és finom részecskék.
Korrózióállóság: sav, lúg, só és szerves reagensek.
- A legjobb lamináris gázáramlási minta elérése
- Garantálja a termikus profil egyenletességét
- Kerülje el a szennyeződést vagy a szennyeződések diffúzióját