MOCVD bolygószuszceptor félvezetőhöz

A Semicorex egy megbízható név a félvezetőiparban, amely kiváló minőségű MOCVD Planet Susceptort biztosít a Semiconductor számára. Termékünket úgy terveztük, hogy megfeleljen a félvezetőgyártók speciális igényeinek, akik olyan hordozót keresnek, amely kiváló teljesítményt, stabilitást és tartósságot biztosít. Lépjen kapcsolatba velünk még ma, ha többet szeretne megtudni termékünkről, és arról, hogyan tudunk segíteni félvezetőgyártási igényeinek kielégítésében.

Kérdés küldése

termékleírás

A MOCVD Planet Susceptor for Semiconductor magas hőmérsékletű oxidációs ellenállással rendelkezik, amely biztosítja a stabilitást magas hőmérsékleten, akár 1600 °C-ig. Ezenkívül nagy tisztaságú, magas hőmérsékletű klórozási körülmények között CVD kémiai gőzleválasztással készült, biztosítva a termék egyenletességét és konzisztenciáját, egyenletes hőprofilt és lamináris gázáramlási mintát.
Lépjen kapcsolatba velünk még ma, ha többet szeretne megtudni a félvezetőhöz készült MOCVD bolygószuszceptorról.

A MOCVD Planet Susceptor paraméterei félvezetőhöz

A CVD-SIC bevonat főbb specifikációi
SiC-CVD tulajdonságai
Kristályszerkezet	FCC β fázis
Sűrűség	g/cm³	3.21
Keménység	Vickers keménység	2500
Szemcseméret	μm	2~10
Kémiai tisztaság	%	99.99995
Hőkapacitás	J kg-1 K-1	640
Szublimációs hőmérséklet	℃	2700
Felexurális Erő	MPa (RT 4 pontos)	415
Young's Modulus	Gpa (4 pont kanyar, 1300 ℃)	430
Hőtágulás (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Hővezetőképesség	(W/mK)	300

A SiC bevonatú grafit szuszceptor jellemzői MOCVD-hez

- Kerülje a leválást, és gondoskodjon a bevonatról minden felületen
Magas hőmérsékletű oxidációállóság: Magas hőmérsékleten 1600°C-ig stabil
Nagy tisztaságú: CVD kémiai gőzleválasztással készült magas hőmérsékletű klórozási körülmények között.
Korrózióállóság: nagy keménység, sűrű felület és finom részecskék.
Korrózióállóság: sav, lúg, só és szerves reagensek.
- A legjobb lamináris gázáramlási minta elérése
- Garantálja a termikus profil egyenletességét
- Kerülje el a szennyeződést vagy a szennyeződések diffúzióját