MOCVD lapkahordozók a félvezetőipar számára

A Semicorex MOCVD Wafer Carriers for Semiconductor Industry egy csúcskategóriás hordozó, amelyet a félvezetőiparban való használatra terveztek. Nagy tisztaságú anyaga egyenletes hőprofilt és lamináris gázáramlási mintát biztosít, így kiváló minőségű ostyákat készít.

Kérdés küldése

termékleírás

A félvezetőipar számára készült MOCVD lapkahordozóink nagy tisztaságúak, CVD kémiai gőzleválasztással készültek magas hőmérsékletű klórozási körülmények között, biztosítva a termék egyenletességét és konzisztenciáját. Ezenkívül rendkívül korrózióálló, sűrű felülete és finom részecskéi miatt ellenáll a savaknak, lúgoknak, sóknak és szerves reagenseknek. Magas hőmérsékletű oxidációval szembeni ellenállása biztosítja a stabilitást magas hőmérsékleten akár 1600°C-ig.
Lépjen kapcsolatba velünk még ma, ha többet szeretne megtudni a félvezetőipar számára készült MOCVD lapkahordozóinkról.

A MOCVD lapkahordozók paraméterei a félvezetőipar számára

A CVD-SIC bevonat főbb specifikációi
SiC-CVD tulajdonságai
Kristályszerkezet	FCC β fázis
Sűrűség	g/cm³	3.21
Keménység	Vickers keménység	2500
Szemcseméret	μm	2~10
Kémiai tisztaság	%	99.99995
Hőkapacitás	J kg-1 K-1	640
Szublimációs hőmérséklet	℃	2700
Felexurális Erő	MPa (RT 4 pontos)	415
Young's Modulus	Gpa (4 pont kanyar, 1300 ℃)	430
Hőtágulás (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Hővezetőképesség	(W/mK)	300

SiC bevonatú grafit szuszceptor jellemzői MOCVD-hez

- Kerülje a leválást, és gondoskodjon a bevonatról minden felületen
Magas hőmérsékletű oxidációállóság: Stabil magas hőmérsékleten 1600°C-ig
Nagy tisztaságú: CVD kémiai gőzleválasztással készült magas hőmérsékletű klórozási körülmények között.
Korrózióállóság: nagy keménység, sűrű felület és finom részecskék.
Korrózióállóság: sav, lúg, só és szerves reagensek.
- A legjobb lamináris gázáramlási minta elérése
- Garantálja a hőprofil egyenletességét
- Kerülje el a szennyeződést vagy a szennyeződések diffúzióját