A SiC és AlN egykristályok fizikai gőztranszport módszerrel (PVT) történő termesztésének folyamatában létfontosságú szerepet töltenek be az olyan alkatrészek, mint a tégely, az oltókristály-tartó és a vezetőgyűrű. A SiC előállítása során az oltókristály viszonylag alacsony hőmérsékletű tartományban,......
Olvass továbbA SiC hordozóanyag a SiC chip magja. A szubsztrát előállítási folyamata a következő: a SiC kristálytuskó előállítása után egykristály növesztéssel; akkor a SiC hordozó előkészítése simítást, lekerekítést, vágást, csiszolást (hígítást) igényel; mechanikus polírozás, kémiai mechanikai polírozás; és ti......
Olvass továbbA szilícium-karbid (SiC) olyan anyag, amely kivételes termikus, fizikai és kémiai stabilitással rendelkezik, és olyan tulajdonságokkal rendelkezik, amelyek meghaladják a hagyományos anyagokét. Hővezető képessége elképesztő 84W/(m·K), ami nemcsak a réznél magasabb, hanem a szilíciuménak is háromszoro......
Olvass továbbA félvezetőgyártás gyorsan fejlődő területén a legkisebb fejlesztések is nagy változást hozhatnak az optimális teljesítmény, tartósság és hatékonyság elérésében. Az egyik olyan előrelépés, amely nagy visszhangot kelt az iparban, a TaC (tantál-karbid) bevonat alkalmazása a grafitfelületeken. De mi is......
Olvass továbbA szilícium-karbid ipar folyamatok láncolatát foglalja magában, amelyek magukban foglalják a szubsztrátum létrehozását, az epitaxiális növekedést, az eszköztervezést, az eszközgyártást, a csomagolást és a tesztelést. A szilícium-karbidot általában ingot formájában állítják elő, amelyet azután felsze......
Olvass továbbA szilícium-karbid (SiC) kiváló fizikai-kémiai tulajdonságainak köszönhetően fontos alkalmazási területekkel rendelkezik olyan területeken, mint a teljesítményelektronika, a nagyfrekvenciás rádiófrekvenciás eszközök és a magas hőmérsékletnek ellenálló környezetek érzékelői. A SiC ostya feldolgozása ......
Olvass tovább