A harmadik generációs félvezető anyagok képviselőjeként a szilícium-karbid (SiC) széles sávszélességgel, nagy hővezető képességgel, nagy áttörési elektromos mezővel és nagy elektronmobilitással büszkélkedhet, így ideális anyag a nagyfeszültségű, nagyfrekvenciás és nagy teljesítményű eszközökhöz. Hat......
Olvass továbbAz oxidációs folyamat az oxidálószerek (például oxigén, vízgőz) és hőenergiájú szilícium lapkák előállításának folyamatára vonatkozik, amely kémiai reakciót vált ki a szilícium és az oxidálószerek között, és így védő szilícium-dioxid (SiO₂) filmet képez.
Olvass továbbAz átkristályosított szilícium-karbid egy nagy teljesítményű kerámia, amelyet SiC részecskék párolgási-kondenzációs mechanizmuson keresztül történő kombinálásával alakítanak ki, és így erős szilárd fázisú szinterezett testet alkotnak. Legfigyelemreméltóbb tulajdonsága, hogy nem adnak hozzá szinterez......
Olvass tovább