- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
hírek
Plazmafolyamatok a CVD-műveletekben
A kémiai gőzfázisú leválasztás (CVD) olyan folyamattechnológiára utal, amelyben több gáznemű reagens különböző parciális nyomáson megy keresztül kémiai reakción meghatározott hőmérsékleti és nyomási körülmények között. A keletkező szilárd anyag lerakódik a szubsztrátum anyagának felületére, ezáltal ......
Olvass tovább
A szilícium-karbid (SiC) teljesítményeszközök piacának túlfeszültsége és kilátásai
Ahogy az elektromos járművek globális elfogadottsága fokozatosan növekszik, a szilícium-karbid (SiC) új növekedési lehetőségek elé néz az elkövetkező évtizedben. Várhatóan az erő-félvezetők gyártói és az autóipar üzemeltetői aktívabban vesznek részt az ágazat értékláncának felépítésében.
Olvass tovább
Szilícium epitaxiális rétegek és szubsztrátok a félvezető gyártásban
A modern elektronika, optoelektronika, mikroelektronika és információtechnológia területén a félvezető hordozók és az epitaxiális technológiák nélkülözhetetlenek. Szilárd alapot biztosítanak a nagy teljesítményű, nagy megbízhatóságú félvezető eszközök gyártásához. A technológia fejlődésével a félvez......
Olvass tovább
A SiC előnyei az elektromos járművek iparában
Szélessávú (WBG) félvezető anyagként a SiC nagyobb energiakülönbsége jobb hő- és elektronikai tulajdonságokat biztosít a hagyományos Si-hez képest. Ez a funkció lehetővé teszi, hogy a tápegységek magasabb hőmérsékleten, frekvencián és feszültségen működjenek.
Olvass tovább
Doppingellenőrzés a szublimációs SiC növekedésben
A szilícium-karbid (SiC) kiváló elektromos és termikus tulajdonságai miatt fontos szerepet játszik a teljesítményelektronika és a nagyfrekvenciás eszközök gyártásában. A SiC kristályok minősége és adalékolási szintje közvetlenül befolyásolja az eszköz teljesítményét, így a dopping pontos ellenőrzése......
Olvass tovább
