- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
hírek
Alumínium-oxid szubsztrátumok elektronikus csomagoláshoz
Az ötödik generációs mobilkommunikáció (5G), a tárgyak internete és a teljesítményelektronika gyors fejlődésével az elektronikai alkatrészek a miniatürizálás, a magas szintű integráció, valamint a nagy frekvencia és sebesség irányába fejlődnek.
Olvass tovább
Mi a diffúziós folyamat
A dopping magában foglalja a szennyeződések adagjának félvezető anyagokba történő bevezetését az elektromos tulajdonságok megváltoztatása érdekében. A diffúzió és az ion beültetése a dopping két módszere. A korai szennyeződés-doppingot elsősorban magas hőmérsékleti diffúzióval valósítottuk meg.
Olvass tovább
Melyek a SIC kristálynövekedési kemence technikai nehézségei
A kristálynövekedési kemence a szilícium -karbid kristályok növekedésének alapvető berendezése. Hasonló a hagyományos kristályos szilícium-minőségű kristálynövekedési kemencéhez. A kemence szerkezete nem túl bonyolult. It is mainly composed of the furnace body, heating system, coil transmission mech......
Olvass tovább
Szilícium karbid ostyacsónak
Az ostya gyártásának minden magas hőmérsékletű folyamata mögött egy csendes, mégis döntő játékos fekszik: az ostyacsónak. Mint az a maghordozó, amely közvetlenül érintkezik a szilícium ostyával az ostya feldolgozása során, az anyag, stabilitás és tisztaság közvetlenül kapcsolódik a végső forgácshoza......
Olvass tovább
