A szilícium-karbid (SiC) kiváló elektromos és termikus tulajdonságai miatt fontos szerepet játszik a teljesítményelektronika és a nagyfrekvenciás eszközök gyártásában. A SiC kristályok minősége és adalékolási szintje közvetlenül befolyásolja az eszköz teljesítményét, így a dopping pontos ellenőrzése......
Olvass továbbA SiC és AlN egykristályok fizikai gőztranszport módszerrel (PVT) történő termesztésének folyamatában létfontosságú szerepet töltenek be az olyan alkatrészek, mint a tégely, az oltókristály-tartó és a vezetőgyűrű. A SiC előállítása során az oltókristály viszonylag alacsony hőmérsékletű tartományban,......
Olvass továbbA SiC hordozóanyag a SiC chip magja. A szubsztrát előállítási folyamata a következő: a SiC kristálytuskó előállítása után egykristály növesztéssel; akkor a SiC hordozó előkészítése simítást, lekerekítést, vágást, csiszolást (hígítást) igényel; mechanikus polírozás, kémiai mechanikai polírozás; és ti......
Olvass továbbA közelmúltban cégünk bejelentette, hogy a cég öntési módszerrel sikeresen kifejlesztett egy 6 hüvelykes Gallium Oxide egykristályt, ezzel az első hazai iparosodott cégként sajátította el a 6 hüvelykes Gallium Oxide egykristályos szubsztrátum előkészítési technológiát.
Olvass tovább