> Termékek

Termékek

új termékek

View as

SiC lemez vevő

A Semicorex bemutatja SiC Disc Susceptor-ját, amelyet az epitaxiás, fémszerves kémiai gőzleválasztási (MOCVD) és gyors hőfeldolgozási (RTP) berendezések teljesítményének növelésére terveztek. Az aprólékosan megtervezett SiC Disc Susceptor olyan tulajdonságokkal rendelkezik, amelyek kiváló teljesítményt, tartósságot és hatékonyságot garantálnak magas hőmérsékletű és vákuum környezetben.**

Olvass tovább Kérdés küldése

Grafit hőmező

A Semicorex Graphite Thermal Field az élvonalbeli anyagtudományt a kristálynövekedési folyamatok mélyreható megértésével ötvözi, és olyan innovatív megoldást kínál, amely képessé teszi a félvezetőipart a teljesítmény, a hatékonyság és a költséghatékonyság új szintjeire.**

Olvass tovább Kérdés küldése

LPE SiC-Epi Halfmoon

A Semicorex LPE SiC-Epi Halfmoon nélkülözhetetlen eszköz az epitaxia világában, robusztus megoldást nyújtva a magas hőmérséklet, a reaktív gázok és a szigorú tisztasági követelmények által támasztott kihívásokra.**

Olvass tovább Kérdés küldése

CVD TaC bevonat fedél

A Semicorex CVD TaC Coating Cover kritikus technológiává vált az epitaxiás reaktorok igényes környezetében, amelyet magas hőmérséklet, reaktív gázok és szigorú tisztasági követelmények jellemeznek, ezért robusztus anyagokra van szükség az egyenletes kristálynövekedés biztosításához és a nem kívánt reakciók megelőzéséhez.**

Olvass tovább Kérdés küldése

Grafit szimpla szilikon húzószerszámok

A Semicorex Graphite Single Silicon Pulling Tools ismeretlen hősökként bukkan fel a kristálynövesztő kemencék tüzes tégelyében, ahol a hőmérséklet szárnyal, és a precizitás uralkodik. Figyelemre méltó tulajdonságaik, amelyeket az innovatív gyártás során csiszoltak, elengedhetetlenné teszik a hibátlan egykristályos szilícium létrehozásához.**

Olvass tovább Kérdés küldése

TaC bevonatvezető gyűrű

A Semicorex TaC bevonatvezető gyűrű a fém-szerves kémiai gőzleválasztásos (MOCVD) berendezések legfontosabb részeként szolgál, biztosítva a prekurzor gázok pontos és stabil szállítását az epitaxiális növekedési folyamat során. A TaC bevonatvezető gyűrű olyan tulajdonságok sorozatát képviseli, amelyek ideálissá teszik a MOCVD reaktorkamrában előforduló szélsőséges körülményeknek való ellenálló képességet.**

Olvass tovább Kérdés küldése

<...78 79 80 81 82...144 >