RTP/RTA SiC bevonathordozó

A Semicorex RTP/RTA SiC bevonathordozót úgy tervezték, hogy ellenálljon a lerakódási környezet legkeményebb körülményeinek. Magas hő- és korrózióállóságának köszönhetően ezt a terméket úgy tervezték, hogy optimális teljesítményt nyújtson az epitaxiális növekedéshez. A SiC bevonatú hordozó nagy hővezető képességgel és kiváló hőelosztási tulajdonságokkal rendelkezik, megbízható teljesítményt biztosítva RTA, RTP vagy durva vegyszeres tisztításhoz.

Kérdés küldése

termékleírás

Az RTP/RTA SiC bevonathordozónk MOCVD epitaxiális növekedéshez a tökéletes megoldás az ostyakezeléshez és az epitaxiális növekedés feldolgozásához. A sima felülettel és a vegyszeres tisztítással szembeni nagy tartósságával ez a termék megbízható teljesítményt nyújt kemény lerakódási környezetben.
Az RTP/RTA SiC bevonathordozónk anyagát úgy tervezték, hogy megakadályozza a repedéseket és a rétegválást, míg a kiváló hőállóság és a termikus egyenletesség egyenletes teljesítményt biztosít RTA, RTP vagy kemény vegyszeres tisztításhoz.
Lépjen kapcsolatba velünk még ma, ha többet szeretne megtudni RTP/RTA SiC bevonathordozónkról

Az RTP/RTA SiC Coating Carrier paraméterei

A CVD-SIC bevonat főbb specifikációi
SiC-CVD tulajdonságai
Kristályszerkezet	FCC β fázis
Sűrűség	g/cm³	3.21
Keménység	Vickers keménység	2500
Szemcseméret	μm	2~10
Kémiai tisztaság	%	99.99995
Hőkapacitás	J kg-1 K-1	640
Szublimációs hőmérséklet	℃	2700
Felexurális Erő	MPa (RT 4 pontos)	415
Young's Modulus	Gpa (4 pont kanyar, 1300 ℃)	430
Hőtágulás (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Hővezetőképesség	(W/mK)	300

Az RTP/RTA SiC Coating Carrier jellemzői

Nagy tisztaságú SiC bevonatú grafit
Kiváló hőállóság és termikus egyenletesség
Finom SiC kristály bevonattal a sima felületért
Nagy tartósság a vegyszeres tisztítással szemben
Az anyagot úgy tervezték, hogy ne forduljon elő repedések és rétegvesztés.