SiC Graphite RTP hordozólemez MOCVD-hez

A Semicorex SiC Graphite RTP hordozólemez a MOCVD-hez kiváló hőállóságot és termikus egyenletességet kínál, így tökéletes megoldást jelent a félvezető lapkák feldolgozásához. A kiváló minőségű SiC bevonatú grafitnak köszönhetően ezt a terméket úgy tervezték, hogy ellenálljon a legkeményebb lerakódási környezetnek az epitaxiális növekedéshez. A magas hővezető képesség és a kiváló hőeloszlási tulajdonságok megbízható teljesítményt biztosítanak RTA, RTP vagy kemény vegyszeres tisztításhoz.

Kérdés küldése

termékleírás

SiC Graphite RTP hordozólemezünk MOCVD-hez MOCVD epitaxiális növekedéshez tökéletes megoldás az ostyakezeléshez és az epitaxiális növekedés feldolgozásához. A sima felülettel és a vegyszeres tisztítással szembeni nagy tartósságával ez a termék megbízható teljesítményt biztosít kemény lerakódási környezetben.
A MOCVD-hez készült SiC grafit RTP hordozólemezünk anyagát úgy tervezték, hogy megakadályozza a repedéseket és a rétegvesztést, míg a kiváló hőállóság és a termikus egyenletesség egyenletes teljesítményt biztosít RTA, RTP vagy durva vegyszeres tisztításhoz.
Lépjen kapcsolatba velünk még ma, ha többet szeretne megtudni a MOCVD-hez készült SiC Graphite RTP hordozólemezünkről.

A SiC Graphite RTP Carrier Plate paraméterei MOCVD-hez

A CVD-SIC bevonat főbb specifikációi
SiC-CVD tulajdonságai
Kristályszerkezet	FCC β fázis
Sűrűség	g/cm³	3.21
Keménység	Vickers keménység	2500
Szemcseméret	μm	2~10
Kémiai tisztaság	%	99.99995
Hőkapacitás	J kg-1 K-1	640
Szublimációs hőmérséklet	℃	2700
Felexurális Erő	MPa (RT 4 pontos)	415
Young's Modulus	Gpa (4 pont kanyar, 1300 ℃)	430
Hőtágulás (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Hővezetőképesség	(W/mK)	300

A SiC Graphite RTP hordozólemez jellemzői MOCVD-hez

Nagy tisztaságú SiC bevonatú grafit
Kiváló hőállóság és termikus egyenletesség
Finom SiC kristály bevonattal a sima felületért
Nagy tartósság a vegyszeres tisztítással szemben
Az anyagot úgy tervezték, hogy ne forduljon elő repedések és rétegvesztés.