itthon > Termékek > Szilícium-karbid bevonatú > MOCVD elfogadó > SiC bevonatú grafit bázisú szuszceptorok MOCVD-hez
SiC bevonatú grafit bázisú szuszceptorok MOCVD-hez

SiC bevonatú grafit bázisú szuszceptorok MOCVD-hez

A Semicorex SiC bevonatú grafitbázisú szuszceptorok MOCVD-hez kiváló minőségű hordozók, amelyeket a félvezetőiparban használnak. Termékünket kiváló minőségű szilícium-karbiddal tervezték, amely kiváló teljesítményt és hosszú élettartamot biztosít. Ez a hordozó ideális az ostya chipen lévő epitaxiális réteg növelésének folyamatában.

Kérdés küldése

termékleírás

SiC bevonatú grafit bázisú MOCVD szuszceptoraink nagy hő- és korrózióállósággal rendelkeznek, amely még extrém körülmények között is kiváló stabilitást biztosít.
Ennek a SiC bevonatú grafitbázisú szuszceptornak a MOCVD-hez való tulajdonságai kiemelkedőek. Nagy tisztaságú szilícium-karbid bevonattal készült grafiton, ami rendkívül ellenállóvá teszi a magas hőmérsékleten, akár 1600°C-ig terjedő oxidációt. A gyártás során alkalmazott CVD kémiai gőzleválasztási eljárás nagy tisztaságot és kiváló korrózióállóságot biztosít. A hordozó felülete sűrű, finom részecskékkel, amelyek fokozzák a korrózióállóságát, így ellenállnak a savnak, lúgnak, sóknak és szerves reagenseknek.
SiC bevonatú grafit bázisú MOCVD szuszceptoraink egyenletes hőprofilt biztosítanak, garantálva a legjobb lamináris gázáramlási mintát. Megakadályozza a szennyeződések vagy szennyeződések bediffundálását az ostyába, így ideális tisztatéri környezetben való használatra. A Semicorex a SiC Coated Graphite Susceptor nagyméretű gyártója és szállítója Kínában, és termékeink jó árelőnnyel rendelkeznek. Bízunk benne, hogy hosszú távú partnere lehetünk a félvezetőiparban.


SiC bevonatú grafitbázisú szuszceptorok paraméterei MOCVD-hez

A CVD-SIC bevonat főbb specifikációi

SiC-CVD tulajdonságai

Kristályszerkezet

FCC β fázis

Sűrűség

g/cm³

3.21

Keménység

Vickers keménység

2500

Szemcseméret

μm

2~10

Kémiai tisztaság

%

99.99995

Hőkapacitás

J kg-1 K-1

640

Szublimációs hőmérséklet

2700

Felexurális Erő

MPa (RT 4 pontos)

415

Young's Modulus

Gpa (4 pont kanyar, 1300 ℃)

430

Hőtágulás (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Hővezetőképesség

(W/mK)

300


A SiC bevonatú grafit szuszceptor jellemzői MOCVD-hez

- Kerülje a leválást, és gondoskodjon a bevonatról minden felületen
Magas hőmérsékletű oxidációállóság: Magas hőmérsékleten 1600°C-ig stabil
Nagy tisztaságú: CVD kémiai gőzleválasztással készült magas hőmérsékletű klórozási körülmények között.
Korrózióállóság: nagy keménység, sűrű felület és finom részecskék.
Korrózióállóság: sav, lúg, só és szerves reagensek.
- A legjobb lamináris gázáramlási minta elérése
- Garantálja a termikus profil egyenletességét
- Kerülje el a szennyeződést vagy a szennyeződések diffúzióját




Hot Tags: SiC bevonatú grafit bázisú szuszceptorok MOCVD-hez, Kína, gyártók, beszállítók, gyári, testreszabott, tömeges, fejlett, tartós
Kapcsolódó kategória
Kérdés küldése
Kérdését az alábbi űrlapon adja meg. 24 órán belül válaszolunk.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept