A Semicorex SiC bevonatú planetáris szuszceptorok nagy pontosságú grafit tartóelemek, amelyek sűrű szilícium-karbid bevonattal vannak bevonva, speciálisan a fejlett MOCVD berendezésekhez. Egyenletes gázáramlást és hőeloszlást tesznek lehetővé, így hozzájárulnak az optimális epitaxiális környezet megteremtéséhez.
A Semicorex SiC bevonatú planetáris szuszceptorok nélkülözhetetlen tartóelemek, amelyeket a félvezető epitaxiális növekedéséhez terveztek az Aixtron G2 berendezésekben, amelyekben biztonságosan meg tudják tartani a lapkákat és bolygómozgásos módon forognak. Ezzel a precíz hőegyenletesség és egyenletes gázeloszlás az ostya felületén sikeresen érhető el, ami prémium minőségű epitaxiális réteglerakódást eredményez az ostyákon.
Semicorex SiC bevonattalplanetáris szuszceptorokTöbb ostyatartó egyenletes elosztása, pontosan szabályozott méretekkel. Ezek az ostya zsebek szilárdan tartják az ostya szubsztrátumokat az epitaxiális növekedési folyamat során, ami hatékonyan minimalizálhatja az ostyahordozók nem kívánt mozgása által okozott epitaxiális folyamatváltozásokat. Ezen túlmenően, ez a több lapka zsebes kialakítás lehetővé teszi több lapka szubsztrátum egyidejű epitaxiális lerakódását egyetlen folyamat során, ami nagymértékben javítja az epitaxiális növekedési folyamat általános hatékonyságát.
A Semicorex gondosan megtervezett gázáramlási csatornákat épít beSiC bevonatúplanetáris szuszceptorok, amelyek az epitaxiális folyamat során finomítják a gázáramlási dinamika és a hő egyenletességének optimalizálását az ostya felületén. Ez az átgondolt kialakítás lehetővé teszi a gáz áramlási sebességének és a reakciókamrán belüli eloszlásának pontos szabályozását, ami elengedhetetlen a kiváló minőségű vékony filmek, az egyenletes rétegvastagság és a megbízható általános készülékteljesítmény eléréséhez.
A Semicorex SiC bevonatú planetáris szuszceptorok rendkívül nagy tisztaságú anyagokból és rendkívül alacsony szennyeződési szinttel készülnek, teljes mértékben megfelelve a félvezetőgyártás szigorú tisztasági követelményeinek. Hatékonyan minimalizálják a fémes gázkibocsátás okozta lapkák szennyeződését még az epitaxiális folyamatokra jellemző magas hőmérsékleti és korrozív körülmények között is.
A Semicorex minőségellenőrzése az alapanyagok szigorú kiválasztásával kezdődik. A SiC bevonatú planetáris szuszceptorok precíziós gyártású, félvezető minőségű grafitból és szilícium-karbidból, kiváló magas hőmérsékleti ellenállást és korrózióállóságot biztosítanak, így tökéletesen ellenállnak a kihívást jelentő magas hőmérsékletű, erősen korrozív epitaxiális működési feltételeknek. Ezekkel a kiváló anyagtulajdonságokkal a Semicorex SiC bevonatú planetáris szuszceptorok megőrizhetik egyenletes teljesítményüket és szerkezeti integritásukat, és elkerülhetik felületi károsodásukat és teljesítménycsökkenésüket a magas hőmérsékletű és nagy korróziós reakciókamrákban, ami jelentősen meghosszabbítja a SiC bevonatú bolygószuceptorok élettartamát.