itthon > Termékek > Szilícium-karbid bevonatú > MOCVD elfogadó > SiC bevonatú grafit szubsztrát ostyahordozók MOCVD-hez
SiC bevonatú grafit szubsztrát ostyahordozók MOCVD-hez

SiC bevonatú grafit szubsztrát ostyahordozók MOCVD-hez

Biztos lehet benne, hogy gyárunkból vásárol SiC bevonatú grafit szubsztrát ostyahordozókat MOCVD-hez. A Semicorexnél a SiC bevonatú grafit szuszceptor nagyméretű gyártója és szállítója vagyunk Kínában. Termékünk jó árelőnnyel rendelkezik, és számos európai és amerikai piacot lefed. Arra törekszünk, hogy ügyfeleink speciális igényeiknek megfelelő, minőségi termékeket kínáljunk. SiC bevonatú grafit szubsztrát ostyahordozónk MOCVD-hez kiváló választás azok számára, akik nagy teljesítményű hordozót keresnek félvezető gyártási folyamatukhoz.

Kérdés küldése

termékleírás

A SiC Coating Graphite Substrate Wafer Carrier for MOCVD kulcsfontosságú szerepet játszik a félvezető gyártási folyamatban. Termékünk rendkívül stabil, még extrém körülmények között is, így kiváló választás kiváló minőségű ostyák gyártásához.
SiC bevonatú grafit szubsztrát szelethordozóink MOCVD-hez kiválóak. Sűrű felülete és finom részecskéi növelik a korrózióállóságát, így ellenállnak a savnak, lúgnak, sónak és szerves reagenseknek. A hordozó egyenletes hőprofilt biztosít, és garantálja a legjobb lamináris gázáramlási mintát, megakadályozva a szennyeződések vagy szennyeződések bediffundálását az ostyába.


SiC bevonatú grafit szubsztrát ostyahordozók paraméterei MOCVD-hez

A CVD-SIC bevonat főbb specifikációi

SiC-CVD tulajdonságai

Kristályszerkezet

FCC β fázis

Sűrűség

g/cm³

3.21

Keménység

Vickers keménység

2500

Szemcseméret

μm

2~10

Kémiai tisztaság

%

99.99995

Hőkapacitás

J kg-1 K-1

640

Szublimációs hőmérséklet

2700

Felexurális Erő

MPa (RT 4 pontos)

415

Young's Modulus

Gpa (4 pont kanyar, 1300 ℃)

430

Hőtágulás (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Hővezetőképesség

(W/mK)

300


A SiC bevonatú grafit szuszceptor jellemzői MOCVD-hez

- Kerülje a leválást, és gondoskodjon a bevonatról minden felületen
Magas hőmérsékletű oxidációállóság: Stabil magas hőmérsékleten 1600°C-ig
Nagy tisztaságú: CVD kémiai gőzleválasztással készült magas hőmérsékletű klórozási körülmények között.
Korrózióállóság: nagy keménység, sűrű felület és finom részecskék.
Korrózióállóság: sav, lúg, só és szerves reagensek.
- A legjobb lamináris gázáramlási minta elérése
- Garantálja a termikus profil egyenletességét
- Kerülje el a szennyeződést vagy a szennyeződések diffúzióját




Hot Tags: SiC bevonatú grafit szubsztrát ostyahordozók MOCVD-hez, Kína, gyártók, beszállítók, gyári, testreszabott, tömeges, fejlett, tartós
Kapcsolódó kategória
Kérdés küldése
Kérdését az alábbi űrlapon adja meg. 24 órán belül válaszolunk.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept