SiC Wafer szuszceptorok MOCVD-hez

A Semicorex SiC Wafer Susceptors for MOCVD a precizitás és az innováció mintaképe, kifejezetten a félvezető anyagok ostyákra történő epitaxiális lerakódásának megkönnyítésére tervezték. A lemezek kiváló anyagtulajdonságai lehetővé teszik, hogy ellenálljanak az epitaxiális növekedés szigorú körülményeinek, beleértve a magas hőmérsékletet és a korrozív környezetet, így nélkülözhetetlenek a nagy pontosságú félvezetőgyártáshoz. Mi, a Semicorex elkötelezett a nagy teljesítményű SiC Wafer szuszceptorok gyártása és szállítása MOCVD-hez, amelyek ötvözik a minőséget a költséghatékonysággal.

Kérdés küldése

termékleírás

A termikus stabilitás, a kémiai ellenállás és a mechanikai robusztusság kombinációja biztosítja, hogy a Semicorex SiC Wafer Susceptors for MOCVD hosszú élettartamú legyen, még kemény feldolgozási körülmények között is:

1. Ezeket a MOCVD-hez készült SiC Wafer szuszceptorokat úgy tervezték, hogy ellenálljanak a rendkívül magas, gyakran 1500 °C-ot meghaladó hőmérsékletnek, degradáció nélkül. Ez a rugalmasság kulcsfontosságú azoknál a folyamatoknál, amelyek hosszú ideig magas hőmérsékletű környezetnek való kitettséget igényelnek. A kiváló termikus tulajdonságok minimalizálják a termikus gradienseket és a feszültséget a szuszceptoron belül, ezáltal csökkentve a vetemedés vagy deformáció kockázatát szélsőséges feldolgozási hőmérsékleteken.

2. A MOCVD-hez készült SiC Wafer Susceptors SiC bevonata kivételes ellenállást biztosít a CVD eljárásokban használt korrozív vegyi anyagokkal, például halogén alapú gázokkal szemben. Ez a közömbösség biztosítja, hogy a hordozók ne lépjenek reakcióba a technológiai gázokkal, így megmarad a lerakott filmek sértetlensége és tisztasága.

3. A MOCVD-hez készült SiC Wafer Szuceptorok robusztus felépítése biztosítja, hogy ellenálljanak a kezelés és a feldolgozás mechanikai igénybevételének anélkül, hogy olyan részecskék keletkeznének, amelyek szennyezhetik az ostyát. A szuszceptorok felületének egyenletessége elősegíti a reprodukálható feldolgozási feltételeket, amelyek elengedhetetlenek az egyenletes teljesítményű és megbízhatóságú félvezető eszközök előállításához.

Ezek a kibővített leírások kiemelik a félvezető CVD-eljárásokban a MOCVD-hez készült SiC Wafer Susceptorok szakmai és műszaki előnyeit, hangsúlyozva egyedi tulajdonságaikat és előnyeiket a gyártási folyamat során a tisztaság, a teljesítmény és a hatékonyság magas színvonalának fenntartásában.