Szilícium epitaxiás szuszceptorok

Biztos lehet benne, hogy szilícium epitaxiás szuszceptorokat vásárol gyárunkból. A Semicorex Silicon Epitaxy Susceptor egy kiváló minőségű, nagy tisztaságú termék, amelyet a félvezetőiparban használnak az ostya chip epitaxiális növekedésére. Termékünk kiváló bevonattechnológiával rendelkezik, amely biztosítja, hogy a bevonat minden felületen jelen legyen, megakadályozva a leválást. A termék magas hőmérsékleten 1600°C-ig stabil, így extrém körülmények között is használható.

Kérdés küldése

termékleírás

Szilícium epitaxiás szuszceptoraink CVD kémiai gőzleválasztással készültek magas hőmérsékletű klórozási körülmények között, így biztosítva a nagy tisztaságot. A termék felülete sűrű, finom részecskékkel és nagy keménységgel rendelkezik, így korrózióálló savval, lúggal, sóval és szerves reagensekkel szemben.
Termékünket úgy terveztük, hogy a legjobb lamináris gázáramlási mintát érje el, garantálva a hőprofil egyenletességét. Szilícium epitaxiás szuszceptoraink megakadályozzák a szennyeződést vagy a szennyeződések diffúzióját az epitaxiális növekedési folyamat során, így biztosítva a kiváló minőségű eredményeket.
A Semicorexnél arra összpontosítunk, hogy kiváló minőségű, költséghatékony termékeket biztosítsunk ügyfeleinknek. A szilícium epitaxiás szuszceptoraink árelőnnyel rendelkeznek, és számos európai és amerikai piacra exportálják. Célunk, hogy az Ön hosszú távú partnere legyünk, állandó minőségű termékeket és kivételes ügyfélszolgálatot biztosítva.

A szilícium epitaxiás szuszceptorok paraméterei

A CVD-SIC bevonat főbb specifikációi
SiC-CVD tulajdonságai
Kristályszerkezet	FCC β fázis
Sűrűség	g/cm³	3.21
Keménység	Vickers keménység	2500
Szemcseméret	μm	2~10
Kémiai tisztaság	%	99.99995
Hőkapacitás	J kg-1 K-1	640
Szublimációs hőmérséklet	℃	2700
Felexurális Erő	MPa (RT 4 pontos)	415
Young's Modulus	Gpa (4 pont kanyar, 1300 ℃)	430
Hőtágulás (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Hővezetőképesség	(W/mK)	300

A szilícium epitaxiás szuszceptorok paraméterei

- Kerülje a leválást, és gondoskodjon a bevonatról minden felületen
Magas hőmérsékletű oxidációállóság: Stabil magas hőmérsékleten 1600°C-ig
Nagy tisztaságú: CVD kémiai gőzleválasztással készült magas hőmérsékletű klórozási körülmények között.
Korrózióállóság: nagy keménység, sűrű felület és finom részecskék.
Korrózióállóság: sav, lúg, só és szerves reagensek.
- A legjobb lamináris gázáramlási minta elérése
- Garantálja a hőprofil egyenletességét
- Kerülje el a szennyeződést vagy a szennyeződések diffúzióját