Ostya elfogadó

A Semicorex Wafer Susceptor szakértelemmel készült grafitból, és szilícium-karbiddal (SiC) van bevonva, hogy megfeleljen a modern félvezetőgyártás szigorú feltételeinek.

Az epitaxiás folyamatokban elengedhetetlen a stabil és ellenőrzött környezet fenntartása. A Wafer Susceptor az alapfelületként szolgál, amelyre az ostyákat a lerakás során helyezik, és megfelel a hőmérséklet egyenletességére, a kémiai tehetetlenségre és a mechanikai szilárdságra vonatkozó precíz követelményeknek a kiváló minőségű epitaxiális rétegek elérése érdekében.

A Wafer Susceptor alapanyagául szolgáló grafit kiválasztását kiváló hővezető képessége és mechanikai tulajdonságai határozzák meg. A grafit azon képessége, hogy ellenáll a magas hőmérsékletnek, miközben megőrzi a szerkezeti integritást, kulcsfontosságú az epitaxiás reaktorok magas hőmérsékletű környezetében. Ezenkívül a grafit hővezető képessége hatékony hőeloszlást biztosít az ostyán keresztül, csökkentve a hőmérséklet-gradiensek kockázatát, amelyek az epitaxiális réteg hibáihoz vezethetnek.

A Wafer Susceptor teljesítményének fokozása érdekében a grafit alapra szakszerűen szilícium-karbid (SiC) bevonatot visznek fel. A SiC egy rendkívül tartós anyag, kiváló vegyszerállósággal, így ideális olyan félvezető környezetben való használatra, ahol gyakran vannak jelen reaktív gázok. A SiC bevonat védőréteget biztosít, amely megvédi a grafitot a lehetséges kémiai reakcióktól, biztosítva az ostya szuszceptor élettartamát és tiszta környezetet a reaktoron belül.

A SiC bevonatú grafitból készült Semicorex Wafer Susceptor a félvezető epitaxiás folyamatok nélkülözhetetlen eleme. A grafit termikus és mechanikai tulajdonságainak, valamint a szilícium-karbid kémiai és termikus stabilitásának kombinációja ideálissá teszi a modern félvezetőgyártás szigorú követelményeihez. Az egylapos kialakítás precíz vezérlést biztosít az epitaxia folyamata felett, hozzájárulva a kiváló minőségű félvezető eszközök előállításához. Ez a szuszceptor biztosítja, hogy az ostyákat a lehető legnagyobb gondossággal és pontossággal kezeljék, ami kiváló epitaxiális rétegeket és jobb teljesítményű félvezető termékeket eredményez.