Grafit szuszceptor SiC bevonattal

A SiC bevonattal ellátott Graphite Susceptor SiC bevonata többféle célt szolgál. Először is, fokozott termikus stabilitást biztosít, lehetővé téve a hőmérsékleti gradiensek pontos szabályozását az epitaxiális növekedési folyamatok során. Ez a stabilitás döntő fontosságú az egyenletes és jó minőségű szilíciumrétegek eléréséhez a félvezető lapkákban. A SiC bevonatú grafit szuszceptor SiC bevonata kiválóan ellenáll a kémiai korróziónak és a hősokknak, megőrzi a szuszceptor sértetlenségét még nehéz folyamatkörülmények között is. Ez a tartósság meghosszabbítja a működési élettartamot és csökkenti az állásidőt, ami végső soron hozzájárul a félvezetőgyártó létesítmények nagyobb termelékenységéhez és költséghatékonyságához.

A SiC bevonattal ellátott Graphite Susceptor hordó kialakítása megkönnyíti az ostyák hatékony be- és kirakodását, optimalizálva az áteresztőképességet az epitaxiás folyamatokban. Ezenkívül a SiC bevonattal ellátott Graphite Susceptor egy személyre szabott termék, és testreszabható a félvezetőgyártók speciális követelményeinek és preferenciáinak megfelelően, biztosítva a kompatibilitást a különböző berendezés-konfigurációkkal és folyamatparaméterekkel.