SiC bevonatú grafittálca

Az epitaxiális berendezés elsődleges összetevőjeként aSiC bevonatú grafittálca, közvetlenül befolyásolja a termelés hatékonyságát, egyenletességét és az epitaxiális réteg növekedésének hibaarányát.    

A grafittisztítás, precíziós feldolgozás és tisztítási kezelés révén a grafit szubsztrát felülete kiváló síkságot és simaságot érhet el, sikeresen elkerülve a részecskék szennyeződésének kockázatát. A kémiai gőzleválasztás során a grafit szubsztrát felülete kémiai reakcióba lép a reaktív gázzal, így sűrű, pórusmentes és egyenletes vastagságú szilícium-karbid (SiC) bevonat jön létre. Az aljzat-előkészítéstől a bevonatkezelésig a teljes gyártási folyamat egy 100-as osztályú tisztatérben zajlik, amely megfelel a félvezetőkre vonatkozó tisztasági szabványoknak.

SiC bevonatú grafittálca, amely nagy tisztaságú, alacsony szennyeződésű grafitból és SiC anyagokból készül, kiváló hővezető képességgel és alacsony hőtágulási együtthatóval rendelkezik. Nemcsak lehetővé teszi a SiC-bevonatú grafittálca gyors és egyenletes hőátadását az epitaxiális réteg növekedési minőségének javítása érdekében, hanem hatékonyan csökkenti a bevonat leválásának vagy repedésének kockázatát is a hőterhelés miatt. Ezenkívül az egyenletes és sűrű SiC bevonat ellenáll a magas hőmérsékletnek, oxidációnak és korróziónak, így hosszú ideig stabil működést biztosít magas hőmérsékleten és korrozív gázkörülmények között.

A SiC bevonatú grafittálca jobban kompatibilis a fém-szerves kémiai gőzleválasztási (MOCVD) berendezéssel. Gondosan méretezett, és úgy tervezték, hogy alkalmazkodjon a különböző folyamatparaméterekhez és berendezések követelményeihez. A Semicorex mindig ragaszkodik ahhoz, hogy professzionális, személyre szabott szolgáltatásokat kínáljon értékes ügyfeleinek, hogy pontosan megfeleljenek a SiC bevonatú grafittálca különböző méretére, bevonatvastagságára és felületi érdességére vonatkozó követelményeiknek.