Ostyahordozó

· Kiváló hővezető képesség: elősegíti a hatékony hőátadást, elengedhetetlen a félvezető epitaxiális növekedési folyamatok során.

· Magas hőmérséklettel szembeni ellenállás: a SiC bevonat ellenáll a szélsőséges hőhatásoknak, így a hordozó megőrzi teljesítményét a reaktorban való teljes hőciklus alatt.

· Kémiai korrózióállóság: a SiC bevonat jelentősen javítja a hordozó oxidációval és az epitaxia során gyakran előforduló reaktív gázok okozta korrózióval szembeni ellenállását.

· Méretstabilitás: a SiC és a grafit kombinációja biztosítja, hogy a hordozó megőrzi alakját és pontosságát az idő múlásával, minimálisra csökkentve a deformáció kockázatát a hosszú folyamatok során.

Alkalmazások a félvezető epitaxiás növekedésben

Az epitaxia egy olyan eljárás, amelynek során vékony félvezető anyagréteget helyeznek fel egy hordozóra, jellemzően egy ostyára, hogy kristályrácsszerkezetet alakítsanak ki. A folyamat során a precíziós lapkakezelés kritikus fontosságú, mivel a lapka pozicionálásának kisebb eltérései is hibákat vagy eltéréseket okozhatnak a rétegszerkezetben.

A Wafer Carrier kulcsszerepet játszik annak biztosításában, hogy a félvezető lapkákat biztonságosan tartsák és megfelelően helyezzék el a folyamat során. A SiC bevonatú grafit kombinációja biztosítja a szükséges teljesítményjellemzőket a szilícium-karbid (SiC) epitaxiához, amely eljárás nagy tisztaságú SiC kristályok termesztését foglalja magában a teljesítményelektronikában, az optoelektronikában és más fejlett félvezető alkalmazásokban.

Pontosabban az ostyahordozó:

· Pontos szeletigazítást biztosít: Biztosítja az epitaxiális réteg egyenletes növekedését az ostyán keresztül, ami kritikus fontosságú az eszköz teljesítménye és teljesítménye szempontjából.

· Ellenáll a hőciklusoknak: A SiC-bevonatú grafit stabil és megbízható marad még magas hőmérsékletű környezetben is, akár 2000°C-ig, így a folyamat során egyenletes szeletkezelést biztosít.

· Minimalizálja az ostya szennyeződését: A hordozó nagy tisztaságú anyagösszetétele biztosítja, hogy az ostya ne legyen kitéve nem kívánt szennyeződéseknek az epitaxiális növekedési folyamat során.

A félvezető epitaxiás reaktorokban az ostyahordozót a reaktorkamrában helyezik el, ahol az ostya tartóplatformjaként funkcionál. A hordozó lehetővé teszi, hogy az ostyát magas hőmérsékletnek és az epitaxiális növekedési folyamatban használt reaktív gázoknak tegyük ki anélkül, hogy az ostya integritását veszélyeztetné. A SiC bevonat megakadályozza a kémiai kölcsönhatásokat a gázokkal, biztosítva a kiváló minőségű, hibamentes anyag növekedését.

A SiC bevonatú grafit ostyahordozó előnyei

1. Fokozott tartósság: A SiC bevonat növeli a grafitanyag kopásállóságát, csökkentve a többszöri használat során bekövetkező károsodás kockázatát.

2. Stabilitás magas hőmérsékleten: A Wafer Carrier elviseli az epitaxiális növesztőkemencékben szokásos szélsőséges hőmérsékleteket, megőrzi szerkezeti integritását vetemedés vagy repedés nélkül.

3. Fokozott hozam és folyamathatékonyság: Az ostyák biztonságos és következetes kezelésének biztosításával a SiC-bevonatú grafit ostyahordozó javítja az epitaxiális növekedési folyamat általános hozamát és hatékonyságát.

4. Testreszabási lehetőségek: A hordozó mérete és konfigurációja szerint testreszabható, hogy megfeleljen a különböző epitaxiális reaktorok speciális igényeinek, rugalmasságot biztosítva a félvezető alkalmazások széles körében.

SemicorexSiC bevonatú grafitA Wafer Carrier kulcsfontosságú eleme a félvezetőiparnak, optimális megoldást biztosítva az ostya kezeléséhez az epitaxiális növekedési folyamat során. A hőstabilitás, a vegyszerállóság és a mechanikai szilárdság kombinációjával biztosítja a félvezető lapkák pontos és megbízható kezelését, ami jobb minőségű eredményeket és jobb hozamot eredményez az epitaxiás folyamatokban. Legyen szó szilícium-karbid epitaxiáról vagy más fejlett félvezető alkalmazásokról, ez a Wafer Carrier biztosítja azt a tartósságot és teljesítményt, amely a modern félvezetőgyártás szigorú szabványainak való megfeleléshez szükséges.