Az Aixtron G5 számára készült Semicorex 6 hüvelykes ostyahordozó számos előnyt kínál az Aixtron G5 berendezésekben való használatra, különösen a magas hőmérsékletű és nagy pontosságú félvezetőgyártási folyamatokban.**
Olvass továbbKérdés küldéseA Semicorex Epitaxy Wafer Carrier rendkívül megbízható megoldást kínál az Epitaxy alkalmazásokhoz. A fejlett anyagok és bevonat technológia biztosítja, hogy ezek a hordozók kiemelkedő teljesítményt nyújtsanak, csökkentve a működési költségeket és a karbantartás vagy csere miatti állásidőt.**
Olvass továbbKérdés küldéseA Semicorex bemutatja SiC Disc Susceptor-ját, amelyet az epitaxiás, fémszerves kémiai gőzleválasztási (MOCVD) és gyors hőfeldolgozási (RTP) berendezések teljesítményének növelésére terveztek. Az aprólékosan megtervezett SiC Disc Susceptor olyan tulajdonságokkal rendelkezik, amelyek kiváló teljesítményt, tartósságot és hatékonyságot garantálnak magas hőmérsékletű és vákuum környezetben.**
Olvass továbbKérdés küldéseA Semicorex SiC ALD Susceptor számos előnnyel rendelkezik az ALD folyamatokban, beleértve a magas hőmérsékleti stabilitást, a fokozott film egyenletességét és minőségét, a jobb folyamat hatékonyságát és a szuszceptor meghosszabbítását. Ezek az előnyök a SiC ALD Susceptort értékes eszközzé teszik a nagy teljesítményű vékonyrétegek előállításához különféle igényes alkalmazásokban.**
Olvass továbbKérdés küldéseA Semicorex ALD Planetary Susceptor fontos az ALD berendezésekben, mivel képesek ellenállni a zord feldolgozási körülményeknek, és kiváló minőségű filmlerakást biztosítanak különféle alkalmazásokhoz. Ahogy a kisebb méretű és nagyobb teljesítményű fejlett félvezető eszközök iránti kereslet folyamatosan növekszik, az ALD Planetary Susceptor alkalmazása az ALD-ben várhatóan tovább fog bővülni.**
Olvass továbbKérdés küldéseA Semicorex MOCVD Epitaxy Susceptor a fém-szerves kémiai gőzleválasztás (MOCVD) epitaxia kritikus komponensévé vált, lehetővé téve a nagy teljesítményű félvezető eszközök kivételes hatékonyságú és pontosságú gyártását. Anyagtulajdonságainak egyedülálló kombinációja tökéletesen alkalmassá teszi az összetett félvezetők epitaxiális növekedése során fellépő hőigényes hő- és kémiai környezethez.**
Olvass továbbKérdés küldése